近日,清純半導(dǎo)體和VBsemi(微碧半導(dǎo)體)分別推出了其第三代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品平臺(tái),標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。
01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
4月21日,清純半導(dǎo)體官微宣布,推出第3代碳化硅(Si...  [詳內(nèi)文]
兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 04 月 22 日 15:34
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關(guān)鍵字:
SiC碳化硅
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