文章分類: 碳化硅SiC

又一批第三代半導體項目刷新進度:封頂、試運行、沖刺生產(chǎn)!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競爭日益激烈的當下,第三代半導體憑借其卓越的性能,成為推動電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關鍵力量。近期,第三代半導體領域多個項目取得重要進展,為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目:設備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日,據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息,奧通碳素(內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

格力電器:已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺,董明珠卸任零邊界董事長

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:16 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日,格力電器在芯片領域的戰(zhàn)略布局迎來關鍵性人事調(diào)整與技術(shù)突破。格力電器披露,已成功建立起#碳化硅(SiC)SBD和MOS芯片的完整工藝平臺,部分產(chǎn)品不僅實現(xiàn)內(nèi)部批量使用,更已為多家芯片設計公司提供晶圓流片制造服務,這標志著格力在第三代半導體戰(zhàn)略已正式進入量產(chǎn)階段。 與此同時,格...  [詳內(nèi)文]

東芝公布碳化硅新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日,東芝發(fā)布公告表示,其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設計技術(shù)”和“基于AI設計優(yōu)化技術(shù)”,開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導體模塊”,能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度(單位面積的功率處理能力)。 東芝介紹,無論何種絕緣類型(包括陶瓷)的功率模塊都...  [詳內(nèi)文]

繼武漢碳化硅基地投產(chǎn)后,長飛先進再獲進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長飛先進官微消息,近日,北京經(jīng)緯恒潤科技股份有限公司(簡稱 “經(jīng)緯恒潤”)與安徽長飛先進半導體股份有限公司(簡稱 “長飛先進”)順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來,雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導體領域的資源優(yōu)勢,共同推進國產(chǎn)碳化硅模塊的車規(guī)認證進程及批量生產(chǎn)、交付,助...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日,瞻芯電子與浙江大學在一場行業(yè)會議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果,受到了各界廣泛關注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領域的創(chuàng)新引領地位。 10kV等級SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領域有廣闊的應用場景。但...  [詳內(nèi)文]

借力IPO,基本半導體中山百萬級SiC封裝線項目獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:17 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日,廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了基本半導體(中山)有限公司(以下簡稱“基本半導體”)年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設項目備案公示,這一重大進展,與基本半導體此前5月27日向香港聯(lián)合交易所遞交上市申請的消息相呼應。 圖片來源:廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺 此次...  [詳內(nèi)文]

瞄準車規(guī)級碳化硅,理想發(fā)表重要成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日,理想汽車官方公眾號發(fā)文表示,近期理想汽車在第37屆ISPSD(功率半導體器件和集成電路國際會議)上發(fā)表了與車規(guī)級碳化硅相關的論文。 該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團隊,論文題為《1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術(shù)研究》,展示了碳化...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子:從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日,日本半導體大廠瑞薩電子(Renesas)傳出解散其碳化硅(SiC)團隊,并取消原定于2025年初的SiC功率半導體量產(chǎn)計劃,這一消息在半導體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示,目前瑞薩電子正準備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設備,而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

《2025全球SiC Power Device市場分析報告》最新版現(xiàn)已上線!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 04 日 18:04 |
| 分類: 報告 , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球2025 SiC Power Device市場分析》報告指出,憑借晶圓技術(shù)升級和產(chǎn)能迅速擴張,SiC功率器件將逐步在高壓應用場景(≥900V)確立領導地位,2030年整體市場規(guī)模有望成長至164億美元。同時,在核心電動汽車市場增長放...  [詳內(nèi)文]

碳化硅領域再吸金,兩家企業(yè)獲大額融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 04 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期,碳化硅(SiC)領域迎來兩筆重要融資,#遼寧漢硅半導體材料有限公司(以下簡稱 “遼寧漢硅”)完成A+輪融資,#合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司(以下簡稱 “鈞聯(lián)電子”)完成近億元A輪融資。這兩起融資事件凸顯了資本市場對碳化硅技術(shù)商業(yè)化前景的高度關注,也體現(xiàn)中國在第三代半導體材料領域...  [詳內(nèi)文]