相關(guān)資訊：SiC碳化硅

晶盛機(jī)電、三安光電碳化硅新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 02 日 17:23 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅領(lǐng)域新進(jìn)展不斷。三安光電全資子公司湖南三安舉行碳化硅芯片上車(chē)儀式，與理想汽車(chē)合作邁入新階段，未來(lái)還將加大研發(fā)投入鞏固優(yōu)勢(shì)；晶盛機(jī)電在接受鵬華基金調(diào)研時(shí)，回應(yīng)了碳化硅產(chǎn)能、不同尺寸進(jìn)展等問(wèn)題，其業(yè)務(wù)成果顯著，并對(duì)碳化硅未來(lái)前景充滿(mǎn)信心。 01、三安光電碳化硅芯片成功上車(chē)...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed推出工業(yè)級(jí)1200V系列分立式碳化硅MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 01 日 17:51 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
11月25日消息，Wolfspeed宣布推出最新的工業(yè)級(jí) 1200V C4MS系列分立式碳化硅 MOSFET，共有16個(gè)產(chǎn)品型號(hào)，基于第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)，可為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。 圖片來(lái)源：Wolfspeed Wolfspeed介紹，C4MS系列采用軟...  [詳內(nèi)文]

內(nèi)蒙古16萬(wàn)噸碳化硅項(xiàng)目公示，湖南加工裝備同步通過(guò)驗(yàn)收
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 01 日 10:19 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
內(nèi)蒙古自治區(qū)投資項(xiàng)目在線審批辦事大廳近日公示，巴彥淖爾利源合金材料有限公司擬投資6億元建設(shè)年產(chǎn)16萬(wàn)噸高品質(zhì)碳化硅制品項(xiàng)目。幾乎同期，湖南省科技廳宣布，宇環(huán)數(shù)控承擔(dān)的“碳化硅基片高效精密加工及其成套技術(shù)設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目通過(guò)驗(yàn)收。 投資超6億元，年產(chǎn)16萬(wàn)噸高品質(zhì)碳化硅制品公示 ...  [詳內(nèi)文]

安意法8英寸SiC項(xiàng)目一期一階段試產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 24 日 17:39 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近期，據(jù)重慶眾致環(huán)保有限公司披露的環(huán)保驗(yàn)收文件顯示，安意法半導(dǎo)體位于重慶的8英寸碳化硅（SiC）外延與芯片項(xiàng)目一期一階段已通過(guò)竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，并于2025年5月進(jìn)入試生產(chǎn)階段。 圖片來(lái)源：環(huán)保驗(yàn)收文件截圖 目前，該條生產(chǎn)線已具備年產(chǎn)2萬(wàn)片車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET芯片的能力，產(chǎn)品將主...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed 發(fā)布兩款全新1200V碳化硅模塊
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 19 日 14:33 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布，其面向電動(dòng)汽車(chē)（EV）牽引逆變系統(tǒng)推出兩大全新1200V碳化硅功率模塊系列。這兩大系列均搭載Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技術(shù)和創(chuàng)新封裝工藝，旨在提供前所未有的系統(tǒng)耐久性、效率與設(shè)計(jì)靈活性，為電動(dòng)汽車(chē)的性能和可靠性樹(shù)立...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進(jìn) GaN/SiC 技術(shù)新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)重要技術(shù)進(jìn)展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 01、英飛凌推出首款100V車(chē)規(guī)級(jí)GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車(chē)電子委員會(huì)(AEC)汽車(chē)...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
11月16日，芯聯(lián)集成宣布正式發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)，采用了8英寸更先進(jìn)制造技術(shù)，已達(dá)到全球領(lǐng)先水平。 據(jù)介紹，該技術(shù)平臺(tái)通過(guò)器件結(jié)構(gòu)與工藝制程的雙重優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標(biāo)，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大核心應(yīng)用場(chǎng)景，可廣泛應(yīng)用新能源汽車(chē)主驅(qū)、車(chē)載電源及...  [詳內(nèi)文]

SiC基礎(chǔ)原料偷偷漲，6英寸襯底價(jià)格血戰(zhàn)，誰(shuí)是最后的贏家？
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 13 日 14:10 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
截至2025年11月，碳化硅市場(chǎng)正經(jīng)歷關(guān)鍵的價(jià)值重估與結(jié)構(gòu)性分化。在價(jià)格端，低端大宗原料成本推升價(jià)格上漲，而主流6英寸襯底則因產(chǎn)能過(guò)剩而持續(xù)暴跌。但在應(yīng)用端，SiC憑借其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平臺(tái)和臺(tái)積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略性關(guān)鍵材料，預(yù)示Si...  [詳內(nèi)文]

1.25億元收購(gòu)已完成，又一巨頭加速進(jìn)軍SiC
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 12 日 13:51 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
11月12日，韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，已完成SK Powertech的收購(gòu)，正加速開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)，目標(biāo)在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于2026年上半年啟動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。 圖片來(lái)源...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠：有望實(shí)現(xiàn)碳化硅業(yè)務(wù)盈利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 12 日 13:50 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近期，羅姆公布涵蓋2026至2028財(cái)年的三年中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃，并設(shè)定了2028財(cái)年的財(cái)務(wù)目標(biāo)，包括營(yíng)收超過(guò)5000億日元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率超過(guò)20%以及凈資產(chǎn)收益率（ROE）超過(guò)9%。 圖片來(lái)源：羅姆 業(yè)務(wù)方面，羅姆將大幅拓展基于碳化硅的功率器件業(yè)務(wù)，同時(shí)縮減并淘汰不盈利的業(yè)務(wù)。應(yīng)用領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]